奈米崛起第五百零二章 關鍵一環

黃修遠笑著說道：“我想到了一個解決中子照射的方法。”

“額？”陳文東博士一臉詫異，他還以為是關於正負電子的發現，卻沒有想到，是中子照射的問題。

不過轉念一想，他也反應過來了：“中子照射？您是想透過陽電子將中子變成質子？”

在場眾人都是高能物理的頂尖學者，自然知道中子和質子是可以相互轉化的。

而陽電子和中子結合，恰恰可以形成質子，唯一需要考慮的問題，就是兩者的結合機率，以及中子的速度和能量。

【新章節更新遲緩的問題，在能換源的app上終於有了解決之道，這裏下載 huanyuanapp.org 換源App, 同時查看本書在多個站點的最新章節。】

核聚變不同於核裂變，核裂變產生的中子，絕大多數都是速度比較慢，含能比較低的快中子，可以透過減速劑轉變成為慢中子（又叫熱中子）。

但是核聚變的快中子，是蘊含的能量，是核裂變快中子的十幾倍，這種高能快中子，超出了目前材料的可承受範圍。

將裂變堆的內壁材料，其抗中子照射能力設定為1，那麼聚變堆的內壁材料，需要的抗中子照射能力，需要達到100以上。

別說達到100了，以為目前正處於實驗階段的快中子裂變堆來計算，該級別的裂變堆內壁材料，其抗中子照射能力，也僅僅可以達到15左右。

距離100這個大關卡，還差了十萬八千裡。

而快中子裂變堆的抗中子能力，其實已經到達了目前材料界的極限。

至少分子—原子級別的材料，是沒有辦法扛住高能快中子的長期照射的，除非人類可以發明中子簡併態材料，用簡併態材料硬抗高能快中子。

可簡併態材料需要的技術和理論，比可控核聚變還要難幾個量級，給人類多一兩百年時間，都不一定可以摸到簡併態材料的入門門檻。

而現在，黃修遠的突發奇想，給眾人帶來了另一條解決思路。

中子難以控制，那是因為它們不帶電，很難被靜電場、磁場控制，如果可以將中子轉變成為質子，那就可以透過靜電場或者磁場進行控制。

黃修遠思考了一會，說出了自己的想法：“我們需要驗證這個方案。”

“我同意，如果陽電子真的可以將高能快中子轉變成為質子，那可控核聚變真的指日可待了。”陳文東也躍躍欲試。

黃修遠並沒有著急著實驗，而是封鎖消息，然後讓一眾知情人，全部前往蜀省巴中市的核聚變研究基地。

緊接著又迅速安排了實驗需要的大量裝置，將這些裝置物資，全部運輸到巴中市。

前前後後，忙碌了四個多月。

直到10月21日，巴中的核聚變研究基地內，黃修遠透過替身機器人來到這裡。

而國內在核聚變領域的大牛們，也來到了現場，觀摩這一次實驗。

化肥等離子體研究所的李建剛院士、徐國盛博士，還有西南核能研究所的幾個院士，都在現場小聲的討論著。

“修遠，你認為成功率有多少？”李建剛院士謹慎的問道。

黃修遠解釋道：“只要陽電子的密度足夠大，就算是高能快中子，也無法逃出這五指山，關鍵是代價問題。”

“那倒也是，如果輸出功率小於輸入功率，那就得不償失了。”李院士點了點頭，接著說道：“不過總是要嘗試一下。”

面積達到4萬平方米的實驗室，佈置了兩臺多重尾場加速器、一臺8字型的磁場束縛器、一臺中子源發生器，以及其他各種輔助裝置。

“各就各位，實驗開始。”

一聲令下，各個裝置有條不紊的啟動。

尾場加速在真空腔中不斷製造陽電子，然後這些陽電子被靜電場送入8字型磁場束縛器中。

隨著時間推移，磁場束縛器中的真空管內，佈滿了密集的陽電子，而且這種陽電子在強磁場的加速下，以極快的速度，在真空管內流動著。

“報告，陽電子密度和速度到底預定數值。”

“開始準備發射中子，能級1。”

“收到。”

很快中子源發生器中，一股能級相當於普通裂變堆快中子的中子流，衝入充滿陽電子電漿的真空管中。

剎那間，中子流被密集的陽電子淹沒。

在中子源發生器的周圍，那密佈的探測器，卻沒有推出的中子訊號。

黃修遠盯著資料，時間一分一秒過去，中子源發生器源源不斷發射著快中子，周圍沒有檢測到一絲中子訊號。

而真空管底部的偏濾器，卻開始分離出一些氕，顯然是被轉化出來的質子，相互組合形成了氕。

“暫停實驗。”

整套系統停下來檢查。

而觀摩區內，一眾專家學者也興奮地討論起來。

看完第一次實驗資料後，李院士面露喜色的說道：“修遠，看來你的想法成功率非常高。”

“最後結果沒有出來之前，我也不敢打包票。”黃修遠並沒有太得意忘形，畢竟現在測試的中子能級，只有核聚變快中子的1/14左右。

或許有人會想，為什麼不乾脆用正負電子湮滅，製造反物質能量反應堆。

這個想法要實現，前提是可以高效低能耗的製造陽電子，問題是現在陽電子和負電子湮滅產生的能量，是生產陽電子能量的43%左右。

如果加上湮滅化的能量再轉換，這筆買賣要虧到姥姥家去了。

這相當於拿10塊錢的電，製造了3塊錢的電，直接血虧7塊錢。

非常有天然的陽電子源，比如太陽，才有可能保證不虧本，不然還是乖乖的搞可控核聚變吧！

“大發現！”徐國盛邊走邊說。

李院士站了起來：“發現什麼了？”

徐國盛解釋道：“偏濾器蒐集到的氕原子，蘊含著非常高的能量，比中子源發生器發射出來的中子能級，還稍微高了一些。”

黃修遠瞬間就反應過來了：“應該是陽電子和中子結合後，兩者的能量融合到了一起，而真空管內部無法轉移熱量，只能在偏濾器中釋放熱量。”

“看來陽電子阻隔層，不僅僅可以阻隔中子，還可以將中子的熱量利用起來。”

眾人討論了五個多小時。

很快裝置檢查完成了，便開始第二次實驗，快中子的能級再次被提高了一倍。

這一次同樣沒有出現中子穿透。

整整一個星期，平均每天兩次的實驗，一步步將中子能級，從一開始的裂變快中子，提升到聚變快中子，能量密度提升了14倍。

在11倍附近，陽電子阻隔層就出現了少量的穿透，大概在3～6%左右。

而到了14倍附近，陽電子阻隔層出現了24～48%左右的穿透。

但是黃修遠卻沒有感到沮喪，因為這完全可以透過加大陽電子流的厚度，提高阻隔效率。

實驗到這裡，其實已經可以宣告中子照射問題的解決了。